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钛圆靶


  钛圆靶的主要性能要求:
  一、纯度
  纯度是靶材的主要性能指标之一,因为靶材的纯度对薄膜的性能有很大的影响。但在实际应用中,靶材的纯度要求不尽相同。随着微电子工业的发展,硅片的尺寸由6英寸、8英寸发展到12英寸,而布线宽度由0.5um减小到0.25um、0.18um甚至0.13um。以前,99.995%的目标纯度可以符合0.35um IC的工艺要求,而0.18um线的制备则需要的目标纯度还要高。
  二、杂质含量
  杂质含量目标固体中的杂质和孔隙中的氧、水蒸气是主要的污染源。不同的钛圆靶对不同的杂质含量有不同的要求。例如,半导体工业用纯铝和铝合金靶材对碱金属含量和放射性元素含量有其它要求。

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